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KP4050LGA 是必易推出的 副邊同步整流（SR）控制器，SOT23-6 封裝，180 V 高壓自供電，<30 ns 關(guān)斷延時(shí)，0 V 輸出仍能可靠工作，支持DCM/QR/CCM 全模式。一句話：把傳統(tǒng)肖特基整流管換成 MOSFET，效率直接提升 2-4 %，溫升降 15-20 K，USB-PD/QC 快充、工業(yè) 24 V、車載 48 V 全場(chǎng)景通吃。
| 項(xiàng)目 | 數(shù)值 | 備注 |
|---|---|---|
| HV 耐壓 | 180 V | 無(wú)需輔助繞組供電 |
| VDD 范圍 | 0 – 12 V | 0 V 也能工作，內(nèi)置雙 LDO 切換 |
| 關(guān)斷延時(shí) | 22 ns（典型） | 快于市面 35-50 ns，CCM 也能整流 |
| 驅(qū)動(dòng)能力 | 0.8 A 源 / 5 A 灌 | 直接驅(qū)動(dòng) 100 A 級(jí) MOSFET |
| 工作模式 | DCM / QR / CCM | 自動(dòng)識(shí)別，無(wú)需模式切換引腳 |
| 封裝 | SOT23-6L | 2.9×1.6 mm，比肖特基體積還小 |
| 靜態(tài)電流 | 250 μA | 待機(jī)損耗 <5 mW |
| 溫度范圍 | -40 – 125 ℃ | AEC-Q100 應(yīng)力通過(guò)，車規(guī)潛力 |
場(chǎng)景：20 V/5 A USB-PD 適配器，副邊 100 V/5 mΩ MOSFET 替代 MBR20200 雙肖特基
實(shí)測(cè)效率曲線
| Pin | 名稱 | 功能說(shuō)明 |
|---|---|---|
| 1 | NC | 空腳，PCB 打地可提升散熱 |
| 2 | GND | IC 地，與 MOSFET 源極短接 |
| 3 | RW | 智能開(kāi)通檢測(cè)配置，外接 10 k 到地即可 |
| 4 | VDD | 內(nèi)部雙 LDO 輸出，9 V（HV>7 V）或 6 V（HV<6.6 V）自動(dòng)切換 |
| 5 | Gate | 驅(qū)動(dòng) MOSFET，最大 ±5 A，內(nèi)置 0.4 Ω 下拉 |
| 6 | HV | 漏極電壓檢測(cè)，-1 – 180 V 范圍，1.2 μs 前沿消隱 |
封裝尺寸：SOT23-6L，2.9×1.6×1.1 mm，比 TO-220 肖特基體積縮小 95 %。
內(nèi)置雙路 LDO：高壓時(shí) 9 V 自供電，輸出掉到 0 V 瞬間切換 6 V 維持，USB-PD 20 V→5 V 降檔不掉電。
DCM 模式下，Vds 振蕩容易誤開(kāi)通；KP4050LGA 通過(guò) RW 腳設(shè)定 -220 mV 閾值 + 1.2 μs LEB，屏蔽振鈴，零誤動(dòng)作。
采用 180 V 高速 comparator + 5 A 下拉驅(qū)動(dòng)，CCM 模式也能在體二極管導(dǎo)通前關(guān)斷，反向恢復(fù)損耗降低 70 %。
同一顆料，Buck 型低邊、Flyback 高邊、LLC 中心抽頭都能用，BOM 統(tǒng)一，供應(yīng)鏈減負(fù)。
| 條件 | 肖特基 MBR20200 | KP4050LGA + 100 V/5 mΩ | 差值 |
|---|---|---|---|
| 20 V/5 A 輸出效率 | 89.1 % | 92.6 % | +3.5 % |
| 滿載芯片溫度 | 108 ℃ | 82 ℃ | -26 K |
| 輸出紋波 | 120 mV | 95 mV | -20 % |
| 元件數(shù)量 | 1 顆二極管 | 1 顆 IC + 1 顆 MOS | 體積反而更小 |
“SOT23-6 封裝，180 V 自供電，22 ns 關(guān)斷，0 V 輸出也能同步整流——把肖特基扔進(jìn)歷史的垃圾桶，只需 3 個(gè)外圍元件。”下次做 USB-PD 快充、工業(yè) 24 V、車載 48 V 副邊整流，別再糾結(jié)“肖特基溫升太高、效率提不上去”，直接上 KP4050LGA，效率提升 3 %，溫度降 20 K，PCB 面積還更小，真香警告！深圳三佛科技提供技術(shù)支持，批量?jī)r(jià)格有優(yōu)勢(shì)~